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歐司朗進入硅上氮化鎵LED芯片試點階段

发布时间:2019-06-06 17:17:49 编辑:笔名

  光电半导体德国总部项目经理 Peter Stauss 博士指出: 我们多年的研发投入终于有了回报:不仅成功地提升了硅基上氮化镓层的质量,产品的效能和亮度也极具竞争力。此外,我们还执行了应力试验,证明我们的 具有很高的质量以及良好的耐用性,这是我们传统检验标志的两项主要指标。 在过去 30 多年的时间里,公司在人工晶体生长(外延附生)工艺领域积累了丰富的专业经验,为这项全新制造技术的发展里程碑上奠定了基础。德国联邦教育和研究部将这些研发活动纳入其 硅上氮化镓 (GaNonSi) 项目络,拨付了研发基金。

  硅的优点

  從多個方面來看,這都是一項開創性的技術。由于硅在半導體行業應用廣泛,且可實現較大的晶圓直徑,再加上其出眾的熱管理特性,所以照明市場以后必將趨向于選擇這種極具吸引力且成本合理的材料。此外,公司制造的 LED 硅芯片的質量和性能數據可與藍寶石基芯片相媲美:標準 Golden Dragon Plus LED 封裝中的藍光 UX:3 芯片在 3.15V 時亮度可達 634 mW,這相當于 58% 的光效。這些都是 1mm 芯片在 350 mA 電流下所能達到的較高值。換言之,如果再結合標準封裝中的傳統熒光粉轉換,這些白光 LED 原型在 350 mA 電流下亮度將達到 140 lm,色溫為 4500 K 時更將實現 127 lm/W 的光效。

  Stauss 博士强调: 对于被广泛应用于照明行业的 LED 而言,在保持同等质量和性能的前提下,必须大幅降低元件的成本。为此,我们围绕整个技术链研发新方法,从芯片技术到生产工艺再到封装技术,无不涉及。 从数学理论来说,目前已可在直径为 150mm(6 英寸)的晶圆上制造出 17,000 颗 1mm 大小的 LED 芯片。硅晶圆越大,生产效率就越高;研发人员已经向世人展示了个 200mm(约 8 英寸)的硅基结构。

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